الفرق بين طلاء الرش وطلاء الفراغ في شركة الزجاج

على عكس التبخر الفراغي، فإن الرش هو استخدام الأيونات عالية الطاقة للتصادم مع المادة المستهدفة، بحيث تتشكل الذرات والجزيئات والأيونات، وبالتالي تتشكل طبقة على الركيزة.

هذه الطريقة في التشكيل هي الطريقة الأكثر استخدامًا في مصنعنا لزجاجات الزجاج في ترويج وتصنيع الإنتاج. يتم اكتشاف ظاهرة الرشح من خلال Grove of A1 على الكاثود على سطح أنبوب التفريغ.

تتصادم الأيونات عالية الطاقة (أو الأيونات المحايدة) والمواد المستهدفة بشكل مرن، فتمتص سطح الهدف هذه القوة الدافعة، ثم تتصادم مرة أخرى مع الأيونات المحيطة بها، وتكون النتيجة قطع ذرات سطح الهدف المرتبطة بالرابطة بين سطح الذرة وتطايرها للخارج، مما يؤدي إلى التناثر.

جميع أنواع التأثيرات الناتجة عن الرش فعالة في انبعاث الإلكترونات مرتين، رش الكاثود الزجاجي (الهدف)، التحلل التحليلي للغاز، تسخين الكاثود، انتشار الفناء في التخطيط، تغيير الشبكة وزرع الأيونات. بالمقارنة مع عدد الجسيمات الإيجابية الواردة، يصبح R معامل انبعاث الإلكترونات المزدوج للزجاجة الزجاجية، وتتأثر قيمته بخصائص مادة الهدف، وكتلة الأيونات الإيجابية، وإمكانية التأين وحجم زخم الإلكترونين.

عندما تصل طاقة الجسيم الموجبة إلى عشرات إلى مئات من فولتات الإلكترون تكون قيمة R في شركة الزجاج عدة 1% بضعة أعشار.

عندما يصطدم أيون موجب بالهدف، فإنه يسخن ويتحول 75% من طاقته إلى حرارة، لذلك يجب تبريد مادة الهدف حتى يمكن تحلل الهدف أو حتى إذابته. بشكل عام، طاقة بخار الفراغ من مصدر التبخر لتطير خارج الذرة في مصنع الزجاج هي 0.1ev، في مادة الهدف تتناثر الطاقة الذرية أكثر من مصدر التبخر الفراغي لتطير خارج الطاقة الذرية إلى مرتبة كبيرة من 1~2، حوالي 5~10ev، كل وحدة زمنية لها معدل رش r،r قيمة وكثافة الأيون الموجب الساقط وقيمة معامل الرش تتناسب مع المنتج.